סוג האירוע

בחר הכל

הרצאות פומביות

קולוקוויום

סמינרים

כנסים וימי עיון

מועדון IAP

מבחן/תחרות

צהרי יום א'

הרצאות לקהל הרחב

ימים פתוחים וייעוץ

טקסים ואירועים מיוחדים

תחום האירוע

בחר הכל

הפקולטה למדעים מדויקים

ביה"ס למדעי המתמטיקה

ביה"ס לפיזיקה ולאסטרונומיה

המועדון האסטרונומי

ביה"ס לכימיה

מרכז לחקר אינטראקציות אור חומר

פרס סאקלר במדעים הפיזיקליים - כימיה

סימפוזיונים והרצאות מיוחדות

החוג למדעי כדור הארץ

ביה"ס למדעי המחשב

ביה"ס למדעי כדור הארץ

החוג ללימודי הסביבה

סמינר בחומר מעובה: The roles of structural, magnetic and electronic degrees of freedom in Mott insulator-metal transitions

Yoav Kalchheim, University of California, San Diego

06 בינואר 2020, 11:00 
בניין קפלון, אולם פלקסר (118) 
סמינר בחומר מעובה

Abstract:

The insulator-metal transition (IMT) in Mott insulators generally involves changes in structural, magnetic and electronic degrees of freedom. Disentangling their contributions is of critical importance for understanding their roles in the IMT and developing novel functionalities. We show that in the archetypal Mott insulator V2O3, the structural and electronic degrees of freedom are robustly coupled. However, antiferromagnetic fluctuations appear in the vicinity of the IMT both in the insulating and metallic phases, independent of the structural transition. Electronic degrees of freedom were studied by applying current to nanowires of both V2O3 and VO2 which allowed us to disentangle Joule heating and electric field effects. We find that in both materials, IMT-based resistive switching can occur either due to Joule heating or non-thermally. We identify the mechanism behind the non-thermal IMT as doping of the Mott insulator through field assisted carrier generation from defect trap states. This allowed us to control the switching mechanism in both materials by focused ion beam irradiation. The similarity between the field driven IMT in these two very different materials, suggests a universal mechanism for resistive switching in Mott insulators. The ability to induce a non-thermal IMT with ultra-low energy consumption paves the way towards highly energy efficient applications, especially in the field of neuromorphic computation.  

 

 

מארגן הסמינר: פרופ' ערן סלע

אוניברסיטת תל אביב עושה כל מאמץ לכבד זכויות יוצרים. אם בבעלותך זכויות יוצרים בתכנים שנמצאים פה ו/או השימוש שנעשה בתכנים אלה לדעתך מפר זכויות, נא לפנות בהקדם לכתובת שכאן >>
אוניברסיטת תל-אביב, ת.ד. 39040, תל-אביב 6997801
UI/UX Basch_Interactive